- 【業種】
- その他製品
- 【市場】
- グロース（内国株式）
- 【決算期】
- 3月
- 【会社設立】
- 【上場】
- 2022.6
- 【直近決算日】
- 2025-05-13（4Q）
- 【決算予定日】
- 2025-08-13 (15:45)
- 【時価総額】
- 83億2500万円
- 【PBR】
- 2.44倍
- 【配当利回り(予)】
- 0%
主力製品の「種結晶」は、気相合成法を用いて製造され、これを基にLGD（人工ダイヤモンド宝石）が製造される。
また、当社は直径5cmの大規模な単結晶の製造技術を確立し、多様な産業用途に対応した板状のダイヤモンドを供給している。
さらに、イオン注入法を用いた親結晶からの分離技術や、複数の単結晶を接続して形成するモザイク結晶の技術により、大型かつ高品質のダイヤモンド製品の量産を実現している。
| 年度 | タイプ | 日付 | 売上高 | 営業利益 | 経常利益 | 純利益 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2024-03 | 新規 | 2023-05-12 | 3,417 | 1,460 | 1,457 | 1,005 |
| 変更 | 2023-08-09 | 未定 | 未定 | 未定 | 未定 | |
| 変更 | 2024-02-09 | 742 | -370 | -290 | -265 | |
| 変更 | 2024-05-10 | 2,362(⬆) | 274(⬆) | 263(⬆) | 180(⬆) | |
| 2025-03 | 新規 | 2024-05-10 | 1,650 | 37 | 29 | 53 |
| 変更 | 2024-11-12 | 未定 | 未定 | 未定 | 未定 | |
| 変更 | 2025-02-13 | 902 | ||||
| 2025-03 | 新規 | 2025-05-13 | 1,861 | -77 | -89 | -128 |
2【沿革】
当社は、独立行政法人産業技術総合研究所(以下「産総研」)のダイヤモンド単結晶製造技術の事業化を目的として、産総研ダイヤモンド研究センター長であった藤森直治(現当社代表取締役社長)を中心に設立されました。
2009年９月 | 大阪府池田市緑丘一丁目８番31号に資本金10,000,000円で株式会社イーディーピーを設立 |
2009年10月 | 営業開始 産総研の研究成果を活用した事業を行う設立５年以内のベンチャーに付与される「産総研発ベンチャー」の称号付与 |
2010年10月 2011年５月 2011年10月 2012年10月 2012年11月 2013年10月 2015年４月 2015年11月 2017年11月 2021年12月 2022年２月 2022年６月 2022年11月
2023年８月 2023年11月 2024年１月 2024年７月 2024年９月 2025年１月 2025年２月 2025年３月 2025年４月 | 12.5mm長の長尺工具素材の発売 国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)・イノベーション推進事業に採択 本社及び本社工場を大阪府茨木市五日市一丁目７番24号に移転 本社及び本社工場を大阪府豊中市上新田四丁目６番３号に移転 1インチ（25x25mm）基板の発売 (111)面（注１）研究用基板の発売 大阪府茨木市横江一丁目17番３号に横江第１工場（現在は横江工場に改称）を設置 Bドープエピ層（注２）付き基板の発売 10x10mm種結晶（注３）の発売 本社工場の稼働を停止し、横江第２工場（現在は開発部の拠点に変更）の設置準備を開始 大阪府茨木市横江一丁目２番９号に横江第２工場（現在は開発部の拠点に変更）を設置 東京証券取引所グロース市場に株式を上場 大阪府茨木市四丁目26番６号に島工場を設置 横江第１工場を横江工場に改称し、横江第２工場を開発部の拠点に変更 低抵抗ダイヤモンド基板の発売 15x15mm単結晶基板、種結晶の発売 エス・エフ・ディー株式会社を設立 SFD India Private Limitedを設立 13x13mm大型低抵抗ダイヤモンド基板の発売 エス・エフ・ディー株式会社によるLGD宝石の発売 30x30mm単結晶基板の発売 SFD Antwerp BVを設立 ダイヤモンド１インチ単結晶ウエハの発売 |
(注)1.ダイヤモンド単結晶の利用する結晶面としてよく現れる、代表的な結晶面であります。最も硬い面でありますが、n形半導体(電子が移動する半導体)を作製する成長工程においては、P(リン)が含有する層を成長させやすいので、半導体関連の研究で使用されます。
2.半導体材料として使用するには、その物質の中を電子もしくは正孔(通常の状態に比べ電子が足りない状態)のどちらかが移動できるようにすることが必要です。このような2種類の半導体を、n形半導体(電子が移動する半導体)、p形半導体(正孔が移動する半導体)と呼びます。ダイヤモンドは絶縁体でありますが、半導体化するには、周期律表のIII属元素(BやAl)やV属元素(P、As、Sb)を混入させます。n形半導体にはP(リン)を、p形半導体にはB(ボロン)を、結晶内に取り込ませれば(このことをドーピングという)それぞれの特性を持つ半導体となります。中でも、Bドーピングしたダイヤモンドは、広い範囲の電気伝導率の制御が可能で、比較的利用が容易であります。当社は、通常の基板上にBドープ層を成長させ製品化しております。
3.種結晶とは人工ダイヤモンド宝石を製造するために、気相合成法(メタンなどの炭素を含んだガスを、何等かの手段で活性化し、1,000°C程度の温度でダイヤモンドを生成する方法)でダイヤモンドを成長させるための、元となる結晶であります。当社の主力製品で、代表的には7x7~11x11mmの面積を持ち、0.3mmの厚さの板状のダイヤモンドであります。